Galaxy S21 sẽ được trang bị bộ nhớ nhanh nhất thị trường

Đầu năm nay, Samsung đã lên kế hoạch sản xuất hàng loạt DRAM LPDDR5 16 GB trên quy trình 10 nm thế hệ thứ ba vào nửa cuối 2020. Mới đây, hãng công nghệ Hàn Quốc cũng thông báo đã thiết lập một dây chuyền mới tại cơ sở Pyeongtaek, bắt đầu sản xuất số lượng lớn DRAM LPDDR5 16 GB đầu tiên trên thế giới Được biết, bộ nhớ DRAM mới được chế tạo bằng công nghệ quang khắc tia cực tím (EUV) tiên tiến.

Flagship tiếp theo của Samsung sẽ được trang bị DRAM LPDDR5 16 GB. Ảnh: Phone Arena.

Ông Lee Jung bae - Phó chủ tịch điều hành mảng Sản phẩm và Công nghệ Samsung, cho biết: "16GB LPDDR5 dựa trên tiến trình 10nm đã đưa ngành công nghiệp chip nhớ lên một tầm cao mới, vượt qua rào cản phát triển trong việc mở rộng quy mô DRAM bằng các dây chuyền sản xuất nâng cao. Chúng tôi sẽ tiếp tục phát triển dòng sản phẩm DRAM cao cấp và đáp ứng đúng nhu cầu khách hàng. Qua đó giúp chúng tôi dẫn đầu thị trường chip nhớ nói chung".

Bên cạnh đó, Samsung cũng cho biết đây là bộ nhớ DRAM có tốc độ cao nhất và lớn nhất từ trước đến nay mà chưa có bất kỳ đối thủ nào đạt được. Chuẩn LPDDR5 có thể truyền tải với tốc độ 6.400 Mb/s, nhanh hơn 16% so với bộ nhớ 12GB RAM LPDDR5 trên dòng Galaxy Note20 vừa mới ra mắt.

Đặc biệt, phiên bản 16GB DRAM mới có thể truyền hơn 50GB dữ liệu trong vòng một giây. Việc thương mại hóa tiến trình 10nm cũng giúp thanh RAM LPDDR5 mỏng hơn 30% so với phiên bản tiền nhiệm.

Galaxy S21 sẽ được trang bị bộ nhớ nhanh nhất thị trường

Bên cạnh đó, nhiều thông tin cho rằng, dòng sản phẩm Galaxy S21 và các thiết bị cầm tay cao cấp sắp ra mắt tới đây của Samsung sẽ có sự xuất hiện của DRAM LPDDR5 16 GB. Ngoài ra, ông chùm công nghệ Hàn Quốc này cũng xác nhận sẵn sàng cung cấp cho các đối tác khác module RAM di động dung lượng lớn nhất, nhanh nhất thị trường nếu có nhu cầu.